Semi-conducteurs. Page 178 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRFBF20S à IRFIBC20G (Page 178 sur 485)

Transistor IRFBF20S

5.77€ TTC

29 En stock

Transistor IRFBF20S N-MOS 900V 1.7A 54W <8R(1.1A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-262. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.1 A. Rds (Ohms): 8.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFBG30

5.32€ TTC

161 En stock

Transistor IRFBG30 N-MOS 1000V 3.1A 125W <5R(2A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 5.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD014

3.25€ TTC

26 En stock

Transistor IRFD014 N-FET 60V 1.7A 1.3W<0.2R(1A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 1.3 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD024

3.53€ TTC

37 En stock

Transistor IRFD024 N-FET 60V 2.5A 1.3W<0.1R(1.8A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.8 A. Rds (Ohms): 0.1.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD110

2.52€ TTC

54 En stock

Transistor IRFD110 N-FET 100V 1A 1.3W<0.54R(0.6A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.6 A. Rds (Ohms): 0.54.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD120

2.91€ TTC

135 En stock

Transistor IRFD120 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD123

4.54€ TTC

56 En stock

Transistor IRFD123 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD210

2.86€ TTC

19 En stock

Transistor IRFD210 N-FET 200V 0.6A 1W<1.5R(0.36A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.36 A. Rds (Ohms): 1.5.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFD220PBF

3.98€ TTC

76 En stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 0.8A/6.4Ap 1W. Résistance passante RDSon : 0.8 Ohms (0.48A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD9014

3.19€ TTC

154 En stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: 1.1A 1.3W. Résistance passante (Rds)<0.5 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD9024

3.58€ TTC

198 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 1.6A. Référence d'origine constructeur: IRFD9024PBF. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 1.8A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.28 Ohms. HEXFET POWER MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD9110

3.19€ TTC

81 En stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -0.7A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds)<1.2 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD9120

3.25€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -0.1A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds)<0.6 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFD9220

3.70€ TTC

26 En stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -0.56A. Puissance: 1W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFI520G

5.04€ TTC

95 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 7.2A/29Ap. 37W. Résistance passante RDSon : 0.27 Ohms (5.1A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFI630G

5.15€ TTC

43 En stock

Transistor MOSFET canal N+D 200V 5.9A/24Ap 35W 0.4R (3.7A). Constructeur: VISHAY. Code constructeur: IRFI630GPBF. Marquage boîtier: IRFI630G. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220F. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 200V. Id(T:25): 6.5A. Puissance: 35 W. Id(T:100): 4.1A. Id(imp): 36 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (ma

Tarifs dégressifs

Transistor IRFI740GLC

6.55€ TTC

37 En stock

Transistor IRFI740GLC N-MOS 400V 5.4A 40W <0.55R(3A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier isolé (F). Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 40 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFI840G

6.55€ TTC

20 En stock

Transistor IRFI840G N-MOS 500V 4.6A 40W <0.85R(2.9A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.9 A. Rds (Ohms): 0.85.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFI9630G

6.94€ TTC

183 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -4.3A. Puissance: 35W. Résistance passante (Rds)<0.8 Ohm. Boîtier: TO-220F.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFI9634G

9.18€ TTC

16 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -250V. Courant de drain maxi: -4.1A. Puissance: 35W. Résistance passante (Rds)<1 Ohm. Boîtier: TO-220F.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFIBC20G

5.32€ TTC

31 En stock

Transistor IRFIBC20G N-FET 600V 1.7A 30W 4.4R(1A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1 A. Rds (Ohms): 4.4.

Tarifs dégressifs

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Transistor IRFBF20S

Transistor IRFBF20S N-MOS 900V 1.7A 54W <8R(1.1A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-262. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.1 A. Rds (Ohms): 8.

Transistor IRFBG30

Transistor IRFBG30 N-MOS 1000V 3.1A 125W <5R(2A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 5.

Transistor IRFD014

Transistor IRFD014 N-FET 60V 1.7A 1.3W<0.2R(1A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 1.3 W

Transistor IRFD024

Transistor IRFD024 N-FET 60V 2.5A 1.3W<0.1R(1.8A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.8 A. Rds (Ohms): 0.1.

Transistor IRFD110

Transistor IRFD110 N-FET 100V 1A 1.3W<0.54R(0.6A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.6 A. Rds (Ohms): 0.54.

Transistor IRFD120

Transistor IRFD120 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

Transistor IRFD123

Transistor IRFD123 N-FET 100V 1.3A 1.3W<0.27R(0.94A) DIP. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: VISHAY. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.94 A.

Transistor IRFD210

Transistor IRFD210 N-FET 200V 0.6A 1W<1.5R(0.36A) DIP. HEXFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 0.36 A. Rds (Ohms): 1.5.

Transistor MOSFET canal-N IRFD220PBF

Transistor MOSFET canal-N 200V 0.8A/6.4Ap 1W. Résistance passante RDSon : 0.8 Ohms (0.48A)

Transistor IRFD9014

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: 1.1A 1.3W. Résistance passante (Rds)<0.5 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Transistor IRFD9024

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 1.6A. Référence d'origine constructeur: IRFD9024PBF. Boîtier: DH-1 house. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 1.8A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.28 Ohms. HEXFET POWER MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Transistor IRFD9110

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -0.7A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds)<1.2 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Transistor IRFD9120

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -0.1A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds)<0.6 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Transistor IRFD9220

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -0.56A. Puissance: 1W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohm. Boîtier: DH-1 house. DIP-4.

Transistor MOSFET canal-N IRFI520G

Transistor MOSFET canal-N 100V 7.2A/29Ap. 37W. Résistance passante RDSon : 0.27 Ohms (5.1A)

Transistor IRFI630G

Transistor IRFI740GLC

Transistor IRFI740GLC N-MOS 400V 5.4A 40W <0.55R(3A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier isolé (F). Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 40 W

Transistor IRFI840G

Transistor IRFI840G N-MOS 500V 4.6A 40W <0.85R(2.9A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.9 A. Rds (Ohms): 0.85.

Transistor IRFI9630G

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -4.3A. Puissance: 35W. Résistance passante (Rds)<0.8 Ohm. Boîtier: TO-220F.

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Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -250V. Courant de drain maxi: -4.1A. Puissance: 35W. Résistance passante (Rds)<1 Ohm. Boîtier: TO-220F.

Transistor IRFIBC20G

Transistor IRFIBC20G N-FET 600V 1.7A 30W 4.4R(1A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1 A. Rds (Ohms): 4.4.

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